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武漢SBM371植球機廠家直銷

發布時間:2025-01-22 12:39:01   來源:安徽尚科院光電子科技有限公司   閱覽(lan)次(ci)數(shu):219次(ci)   

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把若干(gan)個(ge)(ge)BGA裝(zhuang)在載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)上(shang)(shang)(shang)(shang),所述載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)為(wei)(wei)(wei)一(yi)(yi)(yi)平板,其上(shang)(shang)(shang)(shang)設(she)有(you)若干(gan)寬(kuan)度(du)(du)(du)與BGA寬(kuan)度(du)(du)(du)一(yi)(yi)(yi)致(zhi)的(de)(de)(de)凹槽,其長(chang)度(du)(du)(du)剛(gang)好為(wei)(wei)(wei)若干(gan)個(ge)(ge)BGA并排放置(zhi)后(hou)的(de)(de)(de)長(chang)度(du)(du)(du),其深(shen)度(du)(du)(du)與BGA的(de)(de)(de)高(gao)度(du)(du)(du)一(yi)(yi)(yi)致(zhi);)將(jiang)(jiang)載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)安(an)裝(zhuang)到(dao)印(yin)刷(shua)(shua)(shua)機(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)平臺上(shang)(shang)(shang)(shang),進(jin)行錫膏印(yin)刷(shua)(shua)(shua)。所述鋼(gang)(gang)(gang)(gang)網(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)及載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)上(shang)(shang)(shang)(shang)設(she)有(you)定位(wei)孔以將(jiang)(jiang)載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)精(jing)確定位(wei)在鋼(gang)(gang)(gang)(gang)網(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)上(shang)(shang)(shang)(shang),使(shi)鋼(gang)(gang)(gang)(gang)網(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)通孔與BGA的(de)(de)(de)焊點正好配(pei)合,該(gai)定位(wei)孔可(ke)為(wei)(wei)(wei)半(ban)盲孔,印(yin)刷(shua)(shua)(shua)機(ji)(ji)(ji)上(shang)(shang)(shang)(shang)設(she)有(you)雙(shuang)向(xiang)照相(xiang)機(ji)(ji)(ji),雙(shuang)向(xiang)照相(xiang)機(ji)(ji)(ji)位(wei)于鋼(gang)(gang)(gang)(gang)網(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)及載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)之間,可(ke)同時(shi)照射到(dao)鋼(gang)(gang)(gang)(gang)網(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)和(he)載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)上(shang)(shang)(shang)(shang)定位(wei)孔,然后(hou)把鋼(gang)(gang)(gang)(gang)網(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)和(he)載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)上(shang)(shang)(shang)(shang)定位(wei)孔的(de)(de)(de)位(wei)置(zhi)反饋至(zhi)印(yin)刷(shua)(shua)(shua)機(ji)(ji)(ji)上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)計(ji)算機(ji)(ji)(ji),計(ji)算機(ji)(ji)(ji)再驅(qu)動(dong)(dong)印(yin)刷(shua)(shua)(shua)機(ji)(ji)(ji)上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)電機(ji)(ji)(ji),調整放置(zhi)了載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)的(de)(de)(de)平臺,使(shi)鋼(gang)(gang)(gang)(gang)網(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)和(he)載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)的(de)(de)(de)定位(wei)孔位(wei)置(zhi)一(yi)(yi)(yi)一(yi)(yi)(yi)對應,達到(dao)為(wei)(wei)(wei)載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)定位(wei)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de),然后(hou)雙(shuang)向(xiang)照相(xiang)機(ji)(ji)(ji)移(yi)開,電機(ji)(ji)(ji)再驅(qu)動(dong)(dong)鋼(gang)(gang)(gang)(gang)網(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)與載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)重合,進(jin)行印(yin)刷(shua)(shua)(shua);)印(yin)刷(shua)(shua)(shua)完成后(hou),檢查每個(ge)(ge)BGA焊盤上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)錫膏是(shi)否(fou)印(yin)刷(shua)(shua)(shua)均勻;)確認印(yin)刷(shua)(shua)(shua)沒有(you)問題后(hou),將(jiang)(jiang)BGA放到(dao)回流焊烘烤;)完成植(zhi)(zhi)(zhi)球。本發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)有(you)益效果是(shi)簡便化BGA返(fan)修操作(zuo),提高(gao)了生產效率;而且無需使(shi)用昂貴(gui)的(de)(de)(de)植(zhi)(zhi)(zhi)球夾具(ju)(ju),從(cong)而降(jiang)低了成本。下面結(jie)合附圖(tu)(tu)和(he)實施例對本發(fa)明(ming)(ming)作(zuo)進(jin)一(yi)(yi)(yi)步說(shuo)明(ming)(ming)圖(tu)(tu)I為(wei)(wei)(wei)本發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)操作(zuo)流程(cheng)圖(tu)(tu)為(wei)(wei)(wei)本發(fa)明(ming)(ming)載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)的(de)(de)(de)結(jie)構示意(yi)圖(tu)(tu)為(wei)(wei)(wei)BGA安(an)裝(zhuang)在載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)示意(yi)圖(tu)(tu)為(wei)(wei)(wei)本發(fa)明(ming)(ming)鋼(gang)(gang)(gang)(gang)網(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)的(de)(de)(de)結(jie)構示意(yi)圖(tu)(tu)為(wei)(wei)(wei)本發(fa)明(ming)(ming)BGA的(de)(de)(de)結(jie)構簡圖(tu)(tu)為(wei)(wei)(wei)本發(fa)明(ming)(ming)載(zai)(zai)(zai)具(ju)(ju)安(an)裝(zhuang)在鋼(gang)(gang)(gang)(gang)網(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)(wang)上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)示意(yi)圖(tu)(tu)。植(zhi)(zhi)(zhi)球機(ji)(ji)(ji)自(zi)動(dong)(dong)芯片植(zhi)(zhi)(zhi)球機(ji)(ji)(ji)基板晶圓(yuan)植(zhi)(zhi)(zhi)球機(ji)(ji)(ji)設(she)備找(zhao)泰克光電。荊州晶圓(yuan)植(zhi)(zhi)(zhi)球機(ji)(ji)(ji)怎(zen)么樣(yang)

晶圓級封(feng)裝植球裝備(bei)是IC封(feng)裝的(de)(de)關(guan)鍵設(she)(she)備(bei)之(zhi)一,封(feng)裝工藝(yi)和關(guan)鍵技術的(de)(de)研究對于(yu)設(she)(she)備(bei)的(de)(de)研制十分(fen)必要。武(wu)漢(han)SBM371植球機廠家直銷

易造(zao)成(cheng)(cheng)刀片中的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)剛石顆(ke)粒碳化(hua)(hua)(hua)(hua)及(ji)熱破(po)裂(lie),使刀具磨損嚴(yan)重(zhong),嚴(yan)重(zhong)影響劃切質量[1]。晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)制(zhi)造(zao)工藝編(bian)輯晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)表(biao)(biao)(biao)面(mian)清洗(xi)晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)表(biao)(biao)(biao)面(mian)附(fu)著大約2μm的(de)(de)(de)(de)(de)Al2O3和(he)(he)甘油混合液保護(hu)層(ceng),在(zai)制(zhi)作前必(bi)須進行(xing)化(hua)(hua)(hua)(hua)學刻(ke)蝕(shi)和(he)(he)表(biao)(biao)(biao)面(mian)清洗(xi)。晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)初次氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)由熱氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)法生成(cheng)(cheng)SiO2緩沖層(ceng),用(yong)(yong)來(lai)減(jian)小后(hou)(hou)續中Si3N4對晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)應力氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)技術:干法氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)Si(固(gu))+O2àSiO2(固(gu))和(he)(he)濕(shi)(shi)法氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)Si(固(gu))+2H2OàSiO2(固(gu))+2H2。干法氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)通常用(yong)(yong)來(lai)形成(cheng)(cheng),柵極二(er)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅膜(mo)(mo),要(yao)求薄(bo),界面(mian)能級和(he)(he)固(gu)定晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)電荷密度(du)低(di)的(de)(de)(de)(de)(de)薄(bo)膜(mo)(mo)。干法氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)成(cheng)(cheng)膜(mo)(mo)速度(du)慢于(yu)濕(shi)(shi)法。濕(shi)(shi)法氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)通常用(yong)(yong)來(lai)形成(cheng)(cheng)作為器件(jian)隔離用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)比(bi)較(jiao)厚(hou)(hou)(hou)的(de)(de)(de)(de)(de)二(er)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅膜(mo)(mo)。當SiO2膜(mo)(mo)較(jiao)薄(bo)時(shi)(shi)(shi),膜(mo)(mo)厚(hou)(hou)(hou)與(yu)時(shi)(shi)(shi)間成(cheng)(cheng)正比(bi)。SiO2膜(mo)(mo)變厚(hou)(hou)(hou)時(shi)(shi)(shi),膜(mo)(mo)厚(hou)(hou)(hou)與(yu)時(shi)(shi)(shi)間的(de)(de)(de)(de)(de)平方根(gen)成(cheng)(cheng)正比(bi)。因(yin)(yin)而,要(yao)形成(cheng)(cheng)較(jiao)厚(hou)(hou)(hou)SiO2膜(mo)(mo),需要(yao)較(jiao)長的(de)(de)(de)(de)(de)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)時(shi)(shi)(shi)間。SiO2膜(mo)(mo)形成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)速度(du)取決于(yu)經(jing)擴散穿過(guo)SiO2膜(mo)(mo)到達硅表(biao)(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)O2及(ji)OH基等氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)劑(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)數(shu)量的(de)(de)(de)(de)(de)多少。濕(shi)(shi)法氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)時(shi)(shi)(shi),因(yin)(yin)在(zai)于(yu)OH基SiO2膜(mo)(mo)中的(de)(de)(de)(de)(de)擴散系數(shu)比(bi)O2的(de)(de)(de)(de)(de)大。氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)反應,Si表(biao)(biao)(biao)面(mian)向(xiang)深層(ceng)移動,距離為SiO2膜(mo)(mo)厚(hou)(hou)(hou)的(de)(de)(de)(de)(de)。因(yin)(yin)此,不同厚(hou)(hou)(hou)度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)SiO2膜(mo)(mo),去除后(hou)(hou)的(de)(de)(de)(de)(de)Si表(biao)(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)深度(du)也不同。SiO2膜(mo)(mo)為透明,通過(guo)光干涉來(lai)估計膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)。這種干涉色的(de)(de)(de)(de)(de)周(zhou)期約為200nm,如(ru)果(guo)預告(gao)知道(dao)是(shi)幾(ji)次干涉,就能正確估計。對其他(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)透明薄(bo)膜(mo)(mo),如(ru)知道(dao)其折射率,也可(ke)用(yong)(yong)公式計算出。武漢SBM371植球機廠家直銷

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